9月16日，第三屆全國大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新活動周北京亦莊會場在亦創(chuàng)國際會展中心拉開帷幕，北京世紀金光半導體有限公司作為亦莊開發(fā)區(qū)高新技術企業(yè)受邀亮相展會“前沿技術”版塊。開展當天，北京市委常委副市長陰和俊、北京市科委、經(jīng)信委、北京市科協(xié)以及大興區(qū)、開發(fā)區(qū)等相關領導參加了開幕式。

圖一：北京市、區(qū)各級領導參加“雙創(chuàng)周”開幕式

作為此次展會的重頭戲——“前沿技術”展區(qū)，北京世紀金光半導體有限公司受邀在此展出。作為國內(nèi)率先貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)，其科研團隊是一支由院士、教授、研究員及海外歸國人才等組成的多層次、多領域、優(yōu)秀的技術研發(fā)團隊，公司核心管理團隊亦分別來自于世界500強企業(yè)，具有豐富的大企業(yè)實戰(zhàn)管理經(jīng)驗。在技術創(chuàng)新方面，世紀金光也頗有亮點，目前已實現(xiàn)從碳化硅功能材料生長、功率元器件和模塊制備、行業(yè)應用開發(fā)和解決方案提供等關鍵領域的全面布局，突破國外技術封鎖，實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。

圖二：綜述·前沿技術展區(qū)

借助雙創(chuàng)和軍民融合的東風，世紀金光向各界行業(yè)及政府領導展示了第三代半導體最新的科研技術產(chǎn)品——碳化硅全系產(chǎn)品，包括6英寸碳化硅襯底、3-6英寸碳化硅單晶片、600-1700V碳化硅肖特基二極管、900-1200V碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（碳化硅MOSFET）以及全碳化硅功率模塊和碳化硅混合IGBT模塊，該系列產(chǎn)品的核心技術，均有自主知識產(chǎn)權(quán)為支撐，其技術指標已達國際先進水平。展會當天，世紀金光“碳化硅全系產(chǎn)品”的精彩亮相不僅吸引了眾多展會參觀者的目光，也受到了巡展領導的認可。

圖三：北京世紀金光展位

為響應國家制造強國戰(zhàn)略目標，世紀金光積極布局第三代半導體。目前，搭載世紀金光國產(chǎn)碳化硅器件的15kw和30kw的充電模塊產(chǎn)品和解決方案，已經(jīng)應用于非車載直流充電樁；搭載碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET 的3.3KW與6.6KW車載雙向充電機產(chǎn)品和解決方案，已經(jīng)開始應用驗證；基于碳化硅技術的新能源汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的技術開發(fā)也已經(jīng)獲得重要進展。未來，世紀金光將繼續(xù)以“產(chǎn)、學、研、用”的方式夯實技術攻關力量，在基礎前沿領域和應用實踐領域開展高水平合作，持續(xù)而穩(wěn)步的全面布局第三代半導體。

大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新，世紀金光將積極響應雙創(chuàng)號召，堅持自主研發(fā)、堅持走中國智造道路，在碳化硅電力電子器件全產(chǎn)業(yè)鏈的基礎上繼續(xù)向縱深和橫向發(fā)展，不斷提升產(chǎn)品性能，與市場需求緊密結(jié)合，優(yōu)化系統(tǒng)解決方案，用科技的力量為國家建設做出貢獻。